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Lastra in ceramica di allumina di grande formato per dispositivi per semiconduttori e applicazioni industriali.

Lastra in ceramica di allumina di grande formato per dispositivi per semiconduttori e applicazioni industriali.

Breve descrizione:

St.Cera produce lastre ceramiche di grande formato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%) con dimensioni massime fino a 1500 mm di lunghezza e 600 mm di larghezza. Le nostre capacità di rettifica di precisione consentono di ottenere una planarità di 0,003 mm su 100 mm e un parallelismo di 0,002 mm, garantendo una qualità superficiale costante per applicazioni su larga scala. Spessore fino a 100 mm, finitura superficiale fino a Ra0,1. Queste lastre vengono utilizzate come basi per mandrini a vuoto, piastre riscaldanti, pannelli di isolamento elettrico e pavimenti per camere di processo nella produzione di semiconduttori, display e fotovoltaico. Disponibili fori passanti, svasature e profilatura dei bordi.

 


Dettagli del prodotto

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St.Cera produce lastre ceramiche di grande formato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%) con dimensioni massime fino a 1500 mm di lunghezza e 600 mm di larghezza. Le nostre capacità di rettifica di precisione consentono di ottenere una planarità di 0,003 mm su 100 mm e un parallelismo di 0,002 mm, garantendo una qualità superficiale costante per applicazioni su larga scala. Spessore fino a 100 mm, finitura superficiale fino a Ra0,1. Queste lastre vengono utilizzate come basi per mandrini a vuoto, piastre riscaldanti, pannelli di isolamento elettrico e pavimenti per camere di processo nella produzione di semiconduttori, display e fotovoltaico. Disponibili fori passanti, svasature e profilatura dei bordi.

 

Specifiche (basate su Al 99,8%)Oe capacità produttive di St.Cera):

Proprietà Valore
Materiale 99,8% Allumina (Avorio)
Densità 3,93 g/cm³
Resistenza alla flessione 361 MPa
Durezza Vickers 16 GPa
Resistenza dielettrica 15×10⁶ V/m
Lunghezza massima 1500 mm
Larghezza massima 600 mm
Spessore massimo 100 mm
Planarità (per 100 mm) 0,003 mm
Parallelismo 0,002 mm
Finitura superficiale Ra0.1 (lappato/lucidato)
Temperatura massima di esercizio 1600 °C

 

Applicazioni:

  • · Piastre di base per mandrini a vuoto per wafer e pannelli di grandi dimensioni
  • • Piastre riscaldanti per apparecchiature di trattamento termico
  • · Pannelli di isolamento elettrico nei sistemi ad alta tensione
  • · Pavimenti della camera di processo e piastre di rivestimento

 

Precisione di fabbricazione:

Rettilineità: 0,005 mm, perpendicolarità: 0,005 mm, verificata con interferometro laser.

 

Vantaggi rispetto alle piastre metalliche:

  • · Assenza di contaminazione metallica – fondamentale per i processi di produzione dei semiconduttori
  • · Assenza di degassamento: ideale per ambienti sottovuoto
  • • Resistenza superiore all'usura e agli agenti chimici

 

Personalizzazione:

Sono disponibili configurazioni di foratura personalizzate, profili dei bordi, superfici a gradini e aree di montaggio metallizzate.


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