-
Braccio robotico in ceramica di allumina ad alta purezza per la movimentazione di wafer
Il braccio robotico in ceramica di allumina di St.Cera è progettato con precisione a partire da Al₂O₃ (allumina) ad alta purezza (99,8%). Combina un'eccezionale resistenza alla flessione (361 MPa), un'elevata durezza (16 GPa) e una bassa densità (3,93 g/cm³), risultando in un braccio leggero ma rigido per il trasferimento di wafer di semiconduttori. Il coefficiente di dilatazione termica del materiale (7,2×10⁻⁶/°C) è molto simile a quello del silicio, minimizzando la differenza di temperatura durante la lavorazione.
-
Effettore terminale in ceramica Bernoulli: manipolazione senza contatto di wafer sottili e fragili.
L'effettore terminale in ceramica Bernoulli di St.Cera utilizza la portanza aerodinamica per movimentare i wafer senza contatto fisico. Realizzato in allumina (Al₂O₃) o carburo di silicio (SiC) ad elevata purezza (99,8%), è dotato di ugelli lavorati con precisione che espellono gas pressurizzato per creare un sottile film d'aria tra l'effettore terminale e il wafer. Questo principio senza contatto elimina la contaminazione del lato posteriore, la scheggiatura dei bordi e i danni superficiali, rendendolo ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. Il substrato ceramico offre un'elevata resistenza alla flessione (361 MPa per Al₂O₃; fino a 550-600 MPa per SiC), una massa ridotta e un'eccellente stabilità dimensionale, garantendo un posizionamento ripetibile nei robot di trasferimento wafer ad alta velocità.
-
Effettore finale in ceramica rivestito in teflon: superficie antiaderente per la manipolazione delicata dei wafer.
L'effettore terminale in ceramica rivestito in Teflon (PTFE) di St.Cera combina un substrato di allumina ad alta resistenza con un rivestimento uniforme in PTFE a basso attrito (spessore 15–30 μm). Il rivestimento offre un coefficiente di attrito estremamente basso (≤0,1), un'eccellente resistenza chimica e proprietà antiaderenti, prevenendo l'adesione dei wafer ed eliminando la contaminazione del lato posteriore. Il substrato ceramico sottostante (99,8% Al₂O₃) offre un'elevata resistenza alla flessione (361–1000 MPa), resistenza all'usura e stabilità termica fino a 260 °C (limite del rivestimento). Questo effettore terminale è ideale per la movimentazione di wafer delicati, sottili o appiccicosi (ad esempio, dopo il rivestimento con fotoresist o processi chimici).
