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Componenti ceramici ad alta precisione per apparecchiature a semiconduttore
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Mandrino in ceramica personalizzato ST.CERA per apparecchiature di semiconduttori ad alta precisione
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello in ceramica di alta precisione in allumina Componenti in ceramica
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello in ceramica di allumina isolante e resistente alle alte temperature
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello di precisione in ceramica di allumina
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Dischi ceramici di precisione in allumina resistenti ad alta pressione
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Componenti di ricambio di precisione in ceramica di allumina
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Dischi in ceramica di allumina ad elevata purezza
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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braccio in ceramica di allumina
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anelli isolanti in ceramica Anelli di messa a fuoco in ceramica
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello di serraggio in ceramica di allumina ST.CERA con protezione isolante
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Braccio robotico in ceramica di allumina ad alta purezza per la movimentazione di wafer
Il braccio robotico in ceramica di allumina di St.Cera è progettato con precisione a partire da Al₂O₃ (allumina) ad alta purezza (99,8%). Combina un'eccezionale resistenza alla flessione (361 MPa), un'elevata durezza (16 GPa) e una bassa densità (3,93 g/cm³), risultando in un braccio leggero ma rigido per il trasferimento di wafer di semiconduttori. Il coefficiente di dilatazione termica del materiale (7,2×10⁻⁶/°C) è molto simile a quello del silicio, minimizzando la differenza di temperatura durante la lavorazione.
