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Componenti di ricambio in ceramica per apparecchiature di sonda per semiconduttori
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Piastra ceramica per semiconduttori - Supporto per apparecchiature
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Componenti di ricambio in ceramica per apparecchiature a semiconduttore
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello di tenuta in ceramica di allumina ad elevata purezza per la sigillatura di camere ad alta temperatura
L'anello di tenuta in ceramica di St.Cera è progettato come alternativa agli O-ring in polimero in ambienti estremi dove gli elastomeri si degradano. Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), questo anello di tenuta rigido viene utilizzato in applicazioni di tenuta statica, tipicamente in abbinamento a una guarnizione in metallo morbido o grafite, per garantire un contenimento affidabile del vuoto o del gas a temperature fino a 800 °C e in ambienti aggressivi con plasma o agenti chimici. Il materiale offre zero degassamento, elevata resistenza alla compressione (resistenza alla flessione di base 361 MPa) e inerzia chimica (resistente ad alogeni, acidi e alcali, ad eccezione dell'HF). Le superfici di tenuta lappate con precisione (planarità ≤5 μm, rugosità superficiale Ra ≤0,2 μm) assicurano un contatto a tenuta stagna con i componenti metallici o ceramici di accoppiamento.
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Anello di focalizzazione in allumina ad alta purezza per sistemi di incisione al plasma e CVD.
L'anello di focalizzazione della camera di St.Cera è un componente critico del kit di processo utilizzato nelle apparecchiature per semiconduttori di incisione al plasma, CVD e PVD. Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), l'anello circonda il bordo del wafer per confinare il plasma e ottimizzare la distribuzione angolare degli ioni, migliorando così l'uniformità dell'incisione sulla superficie del wafer. Il materiale offre un'eccezionale resistenza al plasma, un'elevata rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m) e stabilità termica fino a 1600 °C, garantendo un'affidabilità a lungo termine in ambienti aggressivi con plasma a base di fluoro o cloro. La rettifica di precisione del diametro interno/esterno e la planarità (≤10 μm) consentono un posizionamento accurato del bordo del wafer, riducendo i difetti sui bordi e la generazione di particelle.
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Anello in ceramica di allumina ad elevata purezza per camere di processo CVD/PVD
L'anello ceramico di St.Cera è specificamente progettato per l'uso in camere di processo CVD (Chemical Vapor Deposition) e PVD (Physical Vapor Deposition). Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), questo anello funge da rivestimento della camera, anello di focalizzazione o componente del kit di processo per confinare il plasma e proteggere le pareti della camera dall'erosione. Il materiale offre un'eccellente resistenza al plasma, un'elevata rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m) e stabilità termica fino a 1600 °C, garantendo una lunga durata in ambienti aggressivi con plasma a base di fluoro. Le precise tolleranze dimensionali (±0,05 mm su diametro interno/esterno) e la planarità (≤10 μm) consentono un posizionamento costante del bordo del wafer, migliorando l'uniformità della deposizione e riducendo la generazione di particelle.
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Effettore terminale in ceramica Bernoulli: manipolazione senza contatto di wafer sottili e fragili.
L'effettore terminale in ceramica Bernoulli di St.Cera utilizza la portanza aerodinamica per movimentare i wafer senza contatto fisico. Realizzato in allumina (Al₂O₃) o carburo di silicio (SiC) ad elevata purezza (99,8%), è dotato di ugelli lavorati con precisione che espellono gas pressurizzato per creare un sottile film d'aria tra l'effettore terminale e il wafer. Questo principio senza contatto elimina la contaminazione del lato posteriore, la scheggiatura dei bordi e i danni superficiali, rendendolo ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. Il substrato ceramico offre un'elevata resistenza alla flessione (361 MPa per Al₂O₃; fino a 550-600 MPa per SiC), una massa ridotta e un'eccellente stabilità dimensionale, garantendo un posizionamento ripetibile nei robot di trasferimento wafer ad alta velocità.
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Componenti in ceramica di allumina ad elevata purezza per applicazioni nel settore dei semiconduttori e industriale.
St.Cera produce componenti ceramici in allumina (Al₂O₃) lavorati con precisione secondo le specifiche del cliente. Utilizzando allumina ad elevata purezza (99,8%), questi componenti offrono un'eccellente resistenza alla flessione (361 MPa), un'elevata durezza (16 GPa) e un'eccezionale rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m). Progettato per apparecchiature per semiconduttori, assemblaggi resistenti all'usura, isolanti elettrici e dispositivi per alte temperature, il materiale offre un assorbimento d'acqua prossimo allo zero (0%) e un coefficiente di dilatazione termica di 7,2×10⁻⁶/℃, garantendo stabilità dimensionale in condizioni estreme.
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Mandrino a vuoto in ceramica porosa per la movimentazione di wafer deformati
Il mandrino in ceramica porosa di St.Cera è realizzato in allumina ad elevata purezza con una porosità aperta uniforme del 30-45% e dimensioni dei pori comprese tra 10 e 100 μm. A differenza dei mandrini scanalati convenzionali, la superficie porosa fornisce un vuoto distribuito su tutta la parte posteriore del wafer, mantenendo saldamente in posizione wafer deformati, sottili o singoli senza sollevamento o rottura dei bordi. Il vuoto delicato (regolabile tramite un limitatore) previene inoltre la formazione di segni sulla parte posteriore.
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Mandrino a vuoto in ceramica porosa a base di allumina per la manipolazione di wafer sottili
Il mandrino poroso a base di allumina di St.Cera è realizzato in Al₂O₃ ad elevata purezza (99,6%) con porosità aperta controllata del 30-45% e dimensione dei pori uniforme compresa tra 10 e 50 μm. A differenza dei mandrini scanalati, la superficie porosa garantisce un vuoto distribuito su tutta la parte posteriore del wafer, eliminando la formazione di segni sui bordi e consentendo un fissaggio delicato di wafer ultrasottili (≤100 μm) o deformati. Il materiale offre una resistenza alla flessione ≥250 MPa e una stabilità termica fino a 400 °C in aria.
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Piastra di distribuzione del gas in allumina per soffione doccia CVD/PVD
La piastra di distribuzione del gas (a doccia) di St.Cera è realizzata con precisione in ceramica di allumina ad alta purezza (99,8%). Presenta una serie di microfori (diametri 0,3–1,5 mm) che garantiscono un flusso di gas uniforme sulla superficie del wafer durante i processi CVD, PVD o ALD. L'elevata rigidità dielettrica (>15×10⁶ V/m) e la resistenza al plasma della piastra la rendono essenziale per la deposizione di film sottili di semiconduttori.
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Perno di supporto in ceramica per dispositivi di fissaggio per processi di semiconduttori
I perni di supporto in ceramica di St.Cera (noti anche come perni di sollevamento o perni di supporto) vengono utilizzati nelle camere di processo dei semiconduttori per sollevare wafer o substrati durante la manipolazione, il riscaldamento o il raffreddamento. Realizzati in allumina o nitruro di silicio al 99,8%, questi perni offrono elevata resistenza alla compressione, stabilità termica e resistenza chimica. Il design con punta emisferica o piatta previene i graffi sui wafer.
