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Lavorazione personalizzata del mandrino per wafer ceramici di Al2O3
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Piastra ceramica per apparecchiature a semiconduttore personalizzate ST.CERA
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Mandrino a vuoto in allumina da 12 pollici per la lavorazione di wafer da 300 mm
Il mandrino a vuoto da 12 pollici di St.Cera è progettato con precisione in allumina (Al₂O₃) ad alta purezza (99,8%) per la movimentazione di wafer da 300 mm. Il mandrino presenta una superficie finemente scanalata (larghezza della scanalatura 0,5–1,0 mm, passo 2–3 mm) per garantire una distribuzione uniforme del vuoto su tutto il diametro di 300 mm. La planarità è mantenuta entro 5 μm, consentendo un fissaggio del wafer senza deformazioni durante il taglio, la rettifica del lato posteriore e l'ispezione. L'elevata resistenza alla flessione (361 MPa) e la durezza (16 GPa) del materiale garantiscono una stabilità dimensionale a lungo termine anche in presenza di ripetuti cicli di vuoto.
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Componenti di ricambio in ceramica per apparecchiature di sonda per semiconduttori
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Piastra ceramica per semiconduttori - Supporto per apparecchiature
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Componenti di ricambio in ceramica per apparecchiature a semiconduttore
Realizzati mediante pressatura isostatica a freddo e sinterizzati ad alta temperatura, quindi lavorati e lucidati con precisione, i componenti ceramici possono soddisfare qualsiasi requisito rigoroso delle apparecchiature per semiconduttori grazie alle loro caratteristiche di resistenza all'usura, alla corrosione, bassa dilatazione termica e isolamento. La ceramica può funzionare a lungo in diverse tipologie di apparecchiature per la produzione di semiconduttori, anche in condizioni di alta temperatura, vuoto o presenza di gas corrosivi.
Realizzato con polvere di allumina ad elevata purezza, lavorata mediante pressatura isostatica a freddo, sinterizzazione ad alta temperatura e finitura di precisione, può raggiungere una tolleranza dimensionale di ±0,001 mm, una finitura superficiale Ra 0,1 e una resistenza alla temperatura di 1600℃.
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Anello di tenuta in ceramica di allumina ad elevata purezza per la sigillatura di camere ad alta temperatura
L'anello di tenuta in ceramica di St.Cera è progettato come alternativa agli O-ring in polimero in ambienti estremi dove gli elastomeri si degradano. Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), questo anello di tenuta rigido viene utilizzato in applicazioni di tenuta statica, tipicamente in abbinamento a una guarnizione in metallo morbido o grafite, per garantire un contenimento affidabile del vuoto o del gas a temperature fino a 800 °C e in ambienti aggressivi con plasma o agenti chimici. Il materiale offre zero degassamento, elevata resistenza alla compressione (resistenza alla flessione di base 361 MPa) e inerzia chimica (resistente ad alogeni, acidi e alcali, ad eccezione dell'HF). Le superfici di tenuta lappate con precisione (planarità ≤5 μm, rugosità superficiale Ra ≤0,2 μm) assicurano un contatto a tenuta stagna con i componenti metallici o ceramici di accoppiamento.
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Anello di focalizzazione in allumina ad alta purezza per sistemi di incisione al plasma e CVD.
L'anello di focalizzazione della camera di St.Cera è un componente critico del kit di processo utilizzato nelle apparecchiature per semiconduttori di incisione al plasma, CVD e PVD. Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), l'anello circonda il bordo del wafer per confinare il plasma e ottimizzare la distribuzione angolare degli ioni, migliorando così l'uniformità dell'incisione sulla superficie del wafer. Il materiale offre un'eccezionale resistenza al plasma, un'elevata rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m) e stabilità termica fino a 1600 °C, garantendo un'affidabilità a lungo termine in ambienti aggressivi con plasma a base di fluoro o cloro. La rettifica di precisione del diametro interno/esterno e la planarità (≤10 μm) consentono un posizionamento accurato del bordo del wafer, riducendo i difetti sui bordi e la generazione di particelle.
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Anello in ceramica di allumina ad elevata purezza per camere di processo CVD/PVD
L'anello ceramico di St.Cera è specificamente progettato per l'uso in camere di processo CVD (Chemical Vapor Deposition) e PVD (Physical Vapor Deposition). Realizzato in allumina (Al₂O₃) ad elevata purezza (99,8%), questo anello funge da rivestimento della camera, anello di focalizzazione o componente del kit di processo per confinare il plasma e proteggere le pareti della camera dall'erosione. Il materiale offre un'eccellente resistenza al plasma, un'elevata rigidità dielettrica (15×10⁶ V/m) e stabilità termica fino a 1600 °C, garantendo una lunga durata in ambienti aggressivi con plasma a base di fluoro. Le precise tolleranze dimensionali (±0,05 mm su diametro interno/esterno) e la planarità (≤10 μm) consentono un posizionamento costante del bordo del wafer, migliorando l'uniformità della deposizione e riducendo la generazione di particelle.
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Mandrino a vuoto in ceramica porosa per la movimentazione di wafer deformati
Il mandrino in ceramica porosa di St.Cera è realizzato in allumina ad elevata purezza con una porosità aperta uniforme del 30-45% e dimensioni dei pori comprese tra 10 e 100 μm. A differenza dei mandrini scanalati convenzionali, la superficie porosa fornisce un vuoto distribuito su tutta la parte posteriore del wafer, mantenendo saldamente in posizione wafer deformati, sottili o singoli senza sollevamento o rottura dei bordi. Il vuoto delicato (regolabile tramite un limitatore) previene inoltre la formazione di segni sulla parte posteriore.
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Mandrino a vuoto in ceramica porosa a base di allumina per la manipolazione di wafer sottili
Il mandrino poroso a base di allumina di St.Cera è realizzato in Al₂O₃ ad elevata purezza (99,6%) con porosità aperta controllata del 30-45% e dimensione dei pori uniforme compresa tra 10 e 50 μm. A differenza dei mandrini scanalati, la superficie porosa garantisce un vuoto distribuito su tutta la parte posteriore del wafer, eliminando la formazione di segni sui bordi e consentendo un fissaggio delicato di wafer ultrasottili (≤100 μm) o deformati. Il materiale offre una resistenza alla flessione ≥250 MPa e una stabilità termica fino a 400 °C in aria.
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Piastra di distribuzione del gas in allumina per soffione doccia CVD/PVD
La piastra di distribuzione del gas (a doccia) di St.Cera è realizzata con precisione in ceramica di allumina ad alta purezza (99,8%). Presenta una serie di microfori (diametri 0,3–1,5 mm) che garantiscono un flusso di gas uniforme sulla superficie del wafer durante i processi CVD, PVD o ALD. L'elevata rigidità dielettrica (>15×10⁶ V/m) e la resistenza al plasma della piastra la rendono essenziale per la deposizione di film sottili di semiconduttori.
